电子开发网

电子开发网电子设计 | 电子开发网Rss 2.0 会员中心 会员注册
搜索: 您现在的位置: 电子开发网 >> 电子开发 >> 电子元器件 >> 正文

光耦的基本参数

作者:佚名    文章来源:本站原创    点击数:    更新时间:2016-7-4

摘要: 图中的光耦内部结构由基本的三部分组成:发光二级管、透光绝缘层、光电三极管。通过发光二极管发光,穿透绝缘层到光电转换三极管,实现电流的传输、隔离特性。 从图中可以看出,光耦的主要参数有: 1、电流传输比CTR:,发光管的电 ...    

 图中的光耦内部结构由基本的三部分组成:发光二级管、透光绝缘层、光电三极管。通过发光二极管发光,穿透绝缘层到光电转换三极管,实现电流的传输、隔离特性。

光耦的内部结构 
    从图中可以看出,光耦的主要参数有:
    1、电流传输比CTR:,发光管的电流和光敏三极管的电流比的最小值。
    2、绝缘耐压(透光绝缘层):指光耦保护相关电路及自身免受高压导致的物理损坏能力。
    3、LED的驱动电流IF:采用高效率的LED和高增益的接收放大器,可以降低驱动电流的IF,同时较小的IF电流可以降低系统的功耗,并且降低LED的衰减,提供系统长期的可靠性。
    4、共模抑制比VCM:指在每微秒光耦能容许的最大共模电压上升、下降率。这个参数主要在工业电机应用中至关重要。例如电机的启动或者制动过程中都会带来极大的共模噪声。

Tags:光耦的基本参数  
责任编辑:admin
相关文章列表
没有相关文章
请文明参与讨论,禁止漫骂攻击,不要恶意评论、违禁词语。 昵称:
1分 2分 3分 4分 5分

还可以输入 200 个字
[ 查看全部 ] 网友评论
关于我们 - 联系我们 - 广告服务 - 友情链接 - 网站地图 - 版权声明 - 在线帮助 - 文章列表
返回顶部
刷新页面
下到页底
晶体管查询